欧州の独立系半導体研究開発機関IMECが米国時間7月16日に，CMOS技術に関する二つの研究開発プログラム（IIAP：IMEC industrial affiliation program）を発表した。CMOS技術の実際的な限界について調査する「Advanced Device Implementation Program」と，従来のCMOS技術に替わるトランジスタ技術の研究「EMERALD（開発コード名）」である。
Advanced Device Implementation Programは期間を3年間とする。ゲート長を45nmから22nmまで微細化した製造技術が実現可能かを調査する。現在，従来のCMOS技術ではゲート長50nm以下のトランジスタを使った量産は理論上不可能とされている。しかし，新たな素材やアーキテクチャを用いることでゲート長45nm以下での量産も可能と考える。
Advanced Device Implementation Programでは従来のCMOS技術による限界を見極め，代替ソリューションを探る。国際半導体技術ロードマップ（ITRS：International Technology Roadmap for Semiconductors）の最新版で取りあげている60～30nm向けの技術確立を目指す。
実験では，ゲート・スタックやチャネル／基板技術，接合構造といったFEOL（front-end-of-line）に関する問題に焦点を当てる。高誘電率絶縁膜（high-K）素材などの採用について取り組む。
EMERALDでは，ゲート長35nm以下のトランジスタにむけた製造技術の研究を行う。fully depleted SOIや原子間を広げた（strained）Si/SiGe層を利用したCMOS技術などを研究対象とする。現在のCMOS技術との互換性や新たな技術への移行性に関しても調査する。EMERALDはAdvanced Device Implementation Programを補完するかたちとなる。
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[www.businesswire.comに掲載の発表資料1]
[www.businesswire.comに掲載の発表資料2]
