米IBMが“世界最速”のシリコン・トランジスタを開発した。同社が米国時間6月25日に明らかにしたもの。210GHzの動作を確認した。
この技術を用いれば，2年以内に100GHz動作の通信用LSIが可能になるという。「競合他社よりも5倍速い製品を4年繰り上げて製造することができる」（IBM社）。
 |
| 米IBMが開発した最速のSiGeトランジスタ（右側がSiGe層を薄くした今回の技術） |
ちなみに米Intelが6月11日に同社が開発したゲート長0.02μmのMOSトランジスタ技術を発表しており，「2007年には10億トランジスタを集積し，20GHzで動作するマイクロプロセサが可能になる」としていた。
またIBM社はその数日前の6月8日に，シリコンに手を加えて半導体の処理速度を最大35％高める技術「Strained Silicon」を発表している。
IBM社が今回開発したトランジスタは，シリコン・ゲルマニウム（SiGe）製造技術を用いている。210GHzで消費電流は1mA。既存のトランジスタと比べて80％性能が高く，消費電力を50％削減できるという。
一般的なトランジスタは電子が水平に流れるが，IBM社の「HBT（heterojunction bipolar transistor）」と呼ぶ技術では電子を垂直方向に流す。この垂直方向の厚さを薄くすることで処理速度を高めるている（図参照）。
今回発表した技術は既存の生産設備を利用できることが特徴。携帯電話機やその他の無線通信機器での用途を視野に入れる。
IBM社は現在多数の通信関連企業と，マサチューセッツ州Waltham，ニューヨーク州East Fishkill，カリフォルニア州Encinitas，フランスのLaGaudeにある設計センタで，様々な製品でのSiGe利用に関して共同作業を進めている。
なおIBM社のWWWサイトでトタンジスタの動きを示すアニメーションをみることができる。
◎関連記事
■土俵際のIT革命
■ムーアの法則を書き換えろ! 米IBMが半導体の速度を最大35％高める技術を開発
■「ムーアの法則は10年は大丈夫」，米インテルが「最速」トランジスタを開発
■「米インテルが20GHz動作のマイクロプロセサに道」，開発責任者が日本で明かす
■米IBMがSOI，9層銅配線，0.13μm CMOSの半導体技術を開発，来年早々に量産へ
■IBMが高速SOIプロセスの量産技術を確立，性能が35％増，消費電力は1/3
■IBM，マイクロプロセサを30％高速化できる半導体技術を開発
■ムーアの法則はあと10年は大丈夫，米インテルが微細プロセス向け基盤技術を開発
■米インテルが0.03μmのCMOSトランジスタを開発，5～10年で10GHzのMPU
■米インテル，「0.13μm技術と300mmウエーハ使うチップの製造に成功」と発表
[発表資料へ]
