米Intelが米国時間6月11日に，「世界最速」（Intel社）のトランジスタを開発したと発表した。ゲート長20nmで，ゲート酸化膜の厚さはわずか原子3個分。
この技術は0.045μmルールの製造技術のベースとなり，2007年には10億個のトランジスタを搭載した，動作周波数20GHzで電源電圧1V以下のマイクロプロセサが可能になると見込んでいる。
このトランジスタについては，同社研究所の研究員が6月10日に京都で開催中の半導体コンファレンス「2001 Silicon Nanoelectronics Workshop」で発表を行った。
「少なくともあと3世代，10年は『ムーアの法則』が続く」（Intel社Technology and Manufacturing Group部門Components Research研究所ディレクタのGerald Marcyk氏）。
「トランジスタ小型化の限界はまだ見えていない」（Intel社Logic Technology Development部門トランジスタ研究ディレクタ兼Intel FellowのRobert Chau氏）。
今回開発したトランジスタは，現在最速のトランジスタ（同社が昨年発表したトランジスタを含む）と比べて30％小さく，25％高速だという。1秒間あたりトランジスタのオン/オフを1兆回以上行える。このトランジスタを利用したマイクロプロセサは「1回まばたきをする間に10億回近い計算をすることができる」（Intel社）という。
ちなみに6月8日には米IBMが，シリコンに手を加えて半導体の処理速度を最大35％高める技術「Strained Silicon」を発表している。
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