米Intelが米国時間12月11日に，ゲート長0.03μm（30nm）のCMOSトランジスタを開発したことを明らかにした。「世界で最小，最速」（Intel社）。サンフランシスコで開かれている半導体技術の学会「International Electron Devices Meeting」で発表したもの。
「今後5年から10年以内に，4億を超えるトランジスタを1チップに集積し，1V未満の電源電圧で動く，10GHz動作のマイクロプロセサ（MPU)を開発できる」（Intel社）。
「これで（LSIのトランジスタ数が18カ月で2倍になるという）『ムーアの法則』は健在であることが証明された」（Intel社のTechnokigy and Manufacturing Gourp部門担当副社長，Sunlin Chou氏）。
Intel社が開発したトランジスタは原子3個分の厚さしかない。また，「現行のLSIと同じ構造で開発できるという点が重要」（Intel社）。
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