米IBMが米国時間4月3日に，LSIの速度を30%高速化できる半導体プロセス技術を開発したことを明らかにした。誘電率の低い絶縁膜材料（low-k)を使い，性能向上や高集積化，消費電力低減を図るうえで障害となっていた配線間のクロストークを抑える。IBM MicroelectronicsとIBM Semiconductor Research and Development Center(SRDC)が5年間を費やして共同開発した。
この技術を用いた最初のLSIは，2001年にも利用可能になるという。誘電率の低い材料としては，米Dow Chemical製の「SiLK」を利用した。Dow社は，「SiLKは将来的には2億ドルの市場規模が見込める」（Dow Advanced Electronic MaterialsのGeneral Manager，Joe Carr氏）としている。
すでにSRDCの試作ラインを使ってチップの製造を行っている。2001年前半には，Burlingtonの量産工場に技術を移転する。
IBM社としては，今回の技術をセミカスタムIC（ASIC：application specific integrated circuit)に適用する計画を立てている。0.13μmルールの半導体製造技術と銅（Cu)配線技術を用いる「Cu-11」と呼ぶ製品系列で使う。Cu-11を用いると，1チップに最大4000万ゲートを集積できる。IBM社は，Cu-11向けのデザイン・キットの提供をこの7月にも始める予定である。キットには，ソフトウエア・ベースの開発ツールやサービスが含まれている。
「高性能と低消費電力のニーズに強い，次世代のインターネット・サーバや携帯電話，ネットワーク機器などの用途に向ける」（IBM社）。
ASICのほかにも，RS/6000やAS/400に搭載する次世代マイクロプロセサ「POWER4」にも，今回開発した技術を適用していく。
