米Intelは，EUV（超紫外線）半導体露光による商用製造設備を設置したと米国時間8月2日に発表した。「世界初」（Intel社）の商用EUV半導体露光装置を導入したほか，EUVマスク試験生産ラインの設置を終えた。同社は「この設備でEUV露光技術を研究段階から開発段階に進め，2009年に32nmプロセス・ルールで製品量産を開始する」としている。
半導体露光とは，半導体製造用ウエーハ上に回路を作る手法の1つ。ある波長の光を元となるマスク・パターンに当て，その“影”をウエーハに転写することで回路を形成する。現在，一般には波長193nmの光源を用いて露光するが，EUVでは波長13.5nmの超紫外線を使う。そのため，より細かなパターンの露光が可能となり，LSIの集積度を上げることができる。
同社は，EUV半導体露光装置「EUV Micro Exposure Tool（MET）」とマスク試験生産ラインを設置したことで，約30nmルールの回路形成が可能になるという。この設備を使用し，EUV半導体露光による量産時に必要な15nmという解像度の実現に向けた準備を行う。
今後同社は，米Cymer，イタリアMedia Lario，ドイツNaWoTecなどの企業と協力し，EUV半導体露光の実用化に必要なインフラや装置の開発を進める。
◎関連記事
■米Xerox，低温／空気中でトランジスタを“印刷”できる素材を開発
■米IBM，自己組織化による半導体メモリー素子の製造に成功，回路パターン露光が不要に
■米Intelが65nmプロセスで4MビットSRAMを製造，「量産ライン投入は2005年」
■キヤノン米法人，DUVリソグラフィの性能向上技術に関する論文をBACUS Symposiumで発表
■米IBM，フォトマスク修復技術を発表。「100nm以下の製造ルールでもマスクの欠陥をゼロに」
■米IBMがゲート長6nmのトランジスタを開発，「集積度は現在の100倍以上に」
■米AMDがゲート長10nmのダブルゲートFinFETを開発，「集積度は現行トランジスタの10倍に」
■米モトローラ／蘭フィリップス／伊仏合弁のSTマイクロ／台湾TSMC，300mmウエーハで32nm CMOS技術を共同研究
[発表資料へ]
