米Intelは，65nmプロセス技術を用いた4MビットSRAMモジュールの製造に成功した。Intel社が米国時間11月24日に明らかにしたもの。同社では，「65nmプロセスを使うことで，1個のLSIモジュールに集積可能なトランジスタ数を現在の2倍に増やせる」としている。同製造プロセスは，2005年に300mmウエーハと合わせて量産ラインに投入できる見込み。
同社が製造したSRAMセルの大きさは0.57平方μm。ゲート長35nmのCMOSトランジスタ6個で構成する。各トランジスタの大きさは極めて小さく，1平方mmの範囲内に1000万個並べられるという。
「SRAMセルの大きさが小さくなるとより多くのキャッシュ・メモリーをプロセサに内蔵できるので，処理速度を高められる。また今回製造したSRAMセルは，ノイズに対するマージンが十分大きいためオン／オフの切り替え特性に優れ，安定した動作が行える」（同社）
同SRAMは，ストレインド・シリコン，銅配線，低誘電率（low-k）絶縁材料といった製造技術を使用している。ストレインド・シリコンの採用により駆動電流を増加させ，トランジスタの動作速度を向上できるという。「しかも製造コストは2％しか増えない」（同社）。またlow-k絶縁材料で8層の銅配線を構成したことで，LSI内の信号速度向上と，消費電力低減という効果を得られた。
なお同SRAMの製造は，オレゴン州ヒルズボロにある同社の300mm開発工場「D1D」で行った。D1Dは同社の最新工場であり，同社最大規模という17万6000平方フィート（約1万6351平方m）の独立したクリンルームを持つ。
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