米Advanced Micro Devices（AMD）はダブルゲート・トランジスタの製造に成功したと米国時間9月10日，発表した。トランジスタのゲート長は10nm（100億分の1m）。これは「現時点で大量生産可能の最も小さいトランジスタの6分の1」（AMD社）という。製造には，現在の標準的な技術を流用できるという。
「現行のトランジスタなら1億個しか集積できない面積に，当社の新トランジスタなら10億個集積できる。これにより，LSIの性能を飛躍的に向上できる」（AMD社）
ダブルゲート・トランジスタは，ゲートを二つ備える構造を持つ。ゲートが一つしかないトランジスタに比べ，内部を流れる電流の量を2倍に増やせる。さらにFin Field Effect Transistor（FinFET）と呼ぶ設計により，薄いシリコンの「fin（ひれ）」を設け，トランジスタがオフ状態にあるときの漏れ電流の量を抑える。同社は，「この二つの設計を組み合わせることで，高性能の新型LSIを小さな面積で作ることが可能になる」と説明する。
「FinFET型のトランジスタにより，現在LSI業界が利用している要素技術インフラそのままで，極めて高性能の製品の供給を継続できる」（AMD社技術開発担当副社長のCraig Sander氏）
同社の研究所では，カリフォルニア大学バークレー校および米Semiconductor Researchと共同で研究を進め，10nmサイズのCMOS FinFETの開発を行った。同トランジスタの製造は，AMD社のサブミクロン開発センターが担当した。
「優れた漏れ電流制御特性を示すことから，FinFETは，将来のナノスケールCMOS世代における有望株の一つといえる。今後10年以内に，大量生産が実現できるだろう」（カリフォルニア大学バークレー校電子工学およびコンピュータ科学科助教授のTsu-Jae King氏）
なおAMD社とカリフォルニア大学は，同トランジスタに関する研究成果を"FinFET Scaling to 10 nm Gate Length"と題する論文にまとめ，2002年12月9日から11日にかけてカリフォルニア州サンフランシスコで開催されるInternational Electron Devices Meetingで発表する予定。
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