米Texas Instruments（TI）は，新素材の高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜を使った半導体製造方法について米国時間12月9日，明らかにした。ワシントンDCで開催中の「International Electron Devices Meeting（IEDM）」で，技術論文を発表する予定である。「ムーアの法則を維持する重要な開発」（TI社）としている。
トランジスタは微細化が進んでいるが，High-k素材を用いることで，薄くなったゲート絶縁膜の漏えい電流を許容レベル内に低減できる。TI社の手法では，High-k素材である窒化ハフニウムシリケート（HfSiON）をトランジスタに統合する。標準的なCMOS製造行程における熱および電気の適合，スレッショルド電圧の安定といった課題を克服しているという。
ハフニウム・ベースのゲート絶縁膜の可能性については，数年前から業界で知られていたが，ハフニウムの量や適用する方法などが不明確だった。
「TI社が発見した効率的な手法により，ハフニウム・ベースのHigh-kゲート絶縁膜を使った素材の組み合わせは，いずれ現在の酸化シリコン層にとって代わるだろう」（TI社シリコン技術開発部門上級バイス・プレジデント兼ディレクタのHans Stork氏）
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