米Intelは，東京で開催中のIntel Developer Forum（IDF）において，携帯電話機向けの薄型，大容量のフラッシュ・メモリー「Intel Ultra-Thin Stacked Chip-Scale Packaging（CSP）」を4月10日発表した。同メモリーは，同社のメモリー素子「1.8 Volt Intel StrataFlash Wireless Memory」を5枚積層しており，「大容量，低消費電力，実装面積削減が達成できる」（Intel社）とする。
Intel Ultra-Thin Stacked CSPは，厚さ約1mmのパッケージに最大5枚のメモリー用ダイを積層できる。対応するメモリーの種類はバス幅16／32ビットのSRAMおよびPSRAMで，オプションとしてLP-SDRAMを用意する。
Intel社フラッシュ製品グループ担当副社長のDarin Billerbeck氏は，「積層パッケージが携帯電話機市場において急速に主流となりつつある」と説明する。Ultra-Thin Stacked CSPでメモリー密度の高いIntel StrataFlash Wireless Memoryを積層することで，無線機器メーカーは小型機器用に適するよう実装面積を削減できる上，多機能携帯電話機で必要とされるフラッシュ・メモリーの容量に対応できる」（同氏）
現在同社はIntel Ultra-Thin Stacked CSPのサンプル品を提供中で，2003年第3四半期に量産を開始する。製品の出荷は，512Mビット版が2003年中，1Gビット版が2004年に開始する予定。価格はメモリー容量やRAM種の組み合わせによって異なる。
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