米Intelは，20億ドルかけて拡張したニューメキシコ州リオ・ランチョにある半導体製造工場「Fab 11X」の操業を開始した。Intel社が米国時間10月23日に明らかにしたもの。「同工場で0.13μmプロセス技術と300mmウエーハを使ったマイクロプロセサを製造する。これにより，当社の300mmウエーハ製造能力を増強させる」（Intel社）
この拡張の結果，Fab 11Xは20万平方フィート（約1万8580平方m）のクリーン・ルームを備え，総敷地面積は100万平方フィート（9万2900平方m）を超える規模となった。また同工場では，2003年に製造プロセスを90nmルールに切り替える予定という。
「300mmウエーハと90nmプロセス技術を組み合わせることで，製造コストを削減できることに加え，生産性を向上させ，世界最先端の半導体製品を入手しやすいものにする」（Intel社社長兼COOのPaul Otellini氏）
300mmウエーハは，現在最も利用されている200mmウエーハと比べてコンピュータ・チップの生産性を大幅に高め，コストを抑えることができる。300mmウエーハで半導体製造に利用できる有効表面積は200mmウエーハの225％で，ウエーハ1枚あたりに製造されるチップ個数は240％に増加する。
さらに，300mmウエーハ技術は，環境の面でもメリットが大きいという。「チップ1個を製造する際の環境に与える影響を200mmウエーハと比べると，揮発性有機化合物の排出量は48％減，純水の使用量は42％減，電力の使用量は約40％減という効果がある」（Intel社）
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