台湾の半導体製造大手Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC)は次世代90ナノメータ（0.09ミクロン）ロジック技術を用いて4MビットSRAMチップ製造に成功したと現地時間3月5日に発表した。

　同社は，先ごろ発表された国際半導体技術ロードマップ（ITRS：International Technology Roadmap for Semiconductors）から1年以上早くこのチップの製造に成功したことになる。

　4MビットSRAMチップは，ゲート長64マイクロミリ，6トランジスタ（6T）SRAMセル・サイズが1.3平方マイクロミリ。これは，0.13ミクロン技術で製造されるデバイスのおよそ半分の面積となる。同デバイスは，銅配線と低誘電率（low-K）層間絶縁の両方を持つインターコネクト技術を提供している。

　同社は，同年の第4四半期までにプロット生産体制に入る予定であり，量産では300mmウエーハで製造を予定している。

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