韓国のSamsung Electronicsは，70nm製造プロセス・ルールによる4GビットNAND型フラッシュ・メモリーの量産を開始した。Samsung社が現地時間5月30日に明らかにしたもの。
製造工程でフッ化アルゴン光源フォト・リソグラフィを採用したことで，70nmという微細なエッチングが可能になったという。メモリー・セルの面積は0.025平方μmで「業界最小」（同社）。
データ書き込み速度は毎秒16Mバイトあり，90nm版2Gビット・フラッシュ・メモリーに比べ50％高速化した。「これにより，高精細ビデオ映像をリアルタイムに保存できる」（同社）
同フラッシュ・メモリーの開発に成功したのは2003年9月。これまで同社は，1999年に256Mビット，2000年に512Mビット，2001年に1Gビット，2002年に2GビットのNAND型フラッシュ・メモリーを開発しており，Samsung社半導体事業担当社長兼CEOのChang Gyu Hwang氏の提唱する「記憶容量は12カ月ごとに倍増する」という“法則”に従っている。
また同社は，予定より1カ月早く新しい300mmウエーハ製造ラインの稼働を始めた。同ラインで70nm版4Gビットと90nm版2GビットのNAND型フラッシュ・メモリーを製造する。当初の製造能力は月産4000枚。2005年末の月産1万5000万枚体制に向けて生産量を増やしていく。
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