韓国のSamsung Electronicsは，4GビットのNAND型フラッシュ・メモリーを現地時間9月29日，発表した。70ナノ・メートルの製造技術を用いる。

　同社は1999年に256Mビット，2000年に512Mビット，2001年に1Gビット，2002年に2GビットのNAND型フラッシュ・メモリーを開発しており，「12カ月ごとに記録密度が倍増している」（Samsung社）

　今回発表した高密度で不揮発性のメモリーにより，消費者はノート・パソコン，タブレットPC，携帯電話機，PDA，MP3プレーヤなどのモバイル機器で大規模なデータを記録することができる。セル・サイズは0.025平方マイクロ・メートル。300オングストロームのタングステン・ゲートを採用し，セル内部の抵抗とノイズを低減する。Samsung社は50ナノ・メートルの製造技術におけるタングステン・ゲートの採用も視野に入れている。

　ちなみにSamsung社によると，NAND型フラッシュ・メモリー市場は2003年の30億ドル規模から，2007年には160億ドル規模に急成長する見込みだという。

　また同社は，80ナノ・メートルの製造技術を用いたDRAMデバイスと，高密度メモリーやロジックを1つのチップにまとめたフュージョン・メモリー「OneNAND」も併せて発表した。

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