米Micron Technologyが,NAND型フラッシュ・メモリー市場への参入計画を米国時間7月5日に発表した。メモリー・カード,USBデバイス,大容量ストレージ製品などをターゲットにするとしている。2004年末までに,2Gビットのメモリー・コンポーネントを市場投入する。

 この計画について,Micron社ネットワーキング&通信担当副社長のJan du Preez氏は「当社の生産能力,高度なプロセス/製品技術,資本設備を活用し,トップ3サプライヤの1社として市場に食い込む」と述べる。

 同氏によると,当初90nmプロセス・ルールを適用して製造を開始し,その後72nm,58nmへと微細化する予定という。最大16Gビットの製品など,複数のモデルを順次提供していく。

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