「次世代LSI製造装置のプロトタイプ完成」と米インテル，10GHzのMPUに道

横田英史

2001.04.12

　EUV（Extreme Ultra Violet：超紫外線）リソグラフィー技術の研究開発コンソーシアムEUV LLCと米政府は米国時間4月11日に，同技術を使うLSI製造装置のプロトタイプが完成したことを明らかにした。

　プロトタイプの名称は「Engineering Test Stand (ETS)」。EUV LLCと米エネルギー省の三つの研究機関が参加し，官民協同体制で開発を行っていた。三つの研究機関とは，Lawrence Berkeley National Laboratory，Lawrence Livermore National Laboratory，Sandia National Laboratoriesである。なおETSの組み立てはSandia National Laboratoriesで行った。

　EUV LLCは2002年の予定についても明らかにした。EUV LLCのパートナ企業やリソグラフィ・ツールのサプライヤがETSを利用し，製造技術の調整などを行う。量産に耐える商業プロトタイプを開発するのが目的である。

　「ETSの完成はこの技術の実用化が可能なことを示したもので，この研究プログラムにとって画期的な出来事。我々の次のステップは，リソグラフィ機器メーカーと協力して商業プロトタイプと製造ツールを開発すること」（EUV LLCプログラム・マネージャのChuck Gwyn氏）

　EUV LLCは，米Intel，米Advanced Micro Devices(AMD)，米Motorola，米Micron，独Infineon Technologiesなどが1997年に設立したコンソーシアムである。米国時間3月12日には米IBMもEUV LLCへの参加を明らかにしている。

　次世代LSIの製造技術であるEUVリソグラフィーとは，チップの焼付けに可視光線でなくEUVを使う技術。可視光線に比べEUVの方が「ペン先」が細いことから，より精細な加工ができ，結果として少ない面積に多くの回路を集積することが可能となる。

　EUV技術を使うことで，2005～2006年にはマイクロプロセサ（MPU)の動作周波数が10GHzを超えるという（現在のPentium 4の最高動作周波数は1.5GHz）。またメモリLSIも同様の技術革新がなされ，そのデータ記憶容量も数十倍に増大する。

　なお米Intelは米国時間3月8日に，同社の技術者がEUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィーのフォトマスク（マスク）製造技術の開発に成功したと発表している（詳細は，「ムーアの法則はあと10年は大丈夫，米インテルが微細プロセス向け基盤技術を開発」）。