米IBMが，シリコン・ゲルマニウム（SiGe）バイポーラCMOS（BiCMOS）の新製造技術「8HP」と，その低コスト版「8WL」を米国時間8月5日に発表した。130nmプロセス・ルールを採用しており，現行の180nm版SiGe CMOSよりも消費電力が少ないうえ，処理速度は2倍高いという。
8HPで製造したLSIを使用すると，モバイル機器や無線通信機器の価格を下げると同時に，車載用の衝突防止レーダーといった新たな装置も実現できる。応用例として，IBM社は60GHz帯を使う無線ネットワーク向けLSIや，ソフトウエア無線技術による携帯電話機などを挙げる。
一方8WLは，特にバッテリで長時間駆動させる無線通信機器を想定した技術。さらに同社は「携帯電話機の機能を高め，無線LANやGPS技術の普及に貢献する」と述べる。
そのほかの両技術の主な仕様は以下の通り。
・エミッタ幅：120nm
・遮断周波数（fT）：200GHz（8HP），100GHz（8WL）
・動作電圧：1.5V，2.5V
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