米Hewlett-Packard（HP）は，LSI内の回路に欠陥が生じても機能障害を起こさないLSI配線技術を開発した。HP社が米国時間6月9日に明らかにしたもの。余分な配線をLSI内に設けておくことで，欠陥発生に備える技術である。「現行技術を発展させた将来の製造装置を使う場合に比べ，1000分の1のコストで100％に近い歩留まりを達成できる」（同社）
このLSI配線技術は，同社の開発した分子サイズ・スイッチング回路技術「crossbar architecture」に適用できる。crossbar architectureは，信号線として機能する1本のワイヤーと，それに約90度で交差する2本の制御線用ワイヤーで構成する。信号線と制御線のあいだは，分子サイズの電気的なスイッチで接続してある。制御線に電圧パルスを加え，極性が反転するようスイッチを操作すると，回路がNOT素子として機能する。回路内の論理レベルは望ましい電圧値に戻せるので，単純なゲートを数多くつなげれば演算回路を組み立てられる。
crossbar architectureについて，同社は「トランジスタに取って代わる基盤技術であり，コンピュータの処理能力を現在の数1000倍に高める可能性がある」と述べる。さらに，従来のシリコン技術ほどの製造精度は不要で欠陥にも強いので，低コストで容易に製造できるという。
新しいLSI配線技術は，あらかじめ50％“余計な”配線をcrossbarに施しておく。こうすることで，「相当多くの」（同社）配線が切断していても回路は正常に動作する。同社は「完璧なLSIを製造する必要がなくなるので，LSIメーカーは大きなコスト削減が期待できる」としている。
「（プロセスが微細化するとLSI内部の）個々のモジュールの欠陥率は高くなるが，（同LSI配線技術を適用すれば）ナノ・レベルの回路の歩留まりがほぼ100％になるはずだ」（HP社上級フェロー兼HP Labs量子科学研究（QSR）ディレクタのStan Williams氏）
詳細については，英国物理学会（Institute of Physics）のNanotechnology誌（6月6日号）に掲載する。
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