米IBMが，ストレインド（ひずみ）ゲルマニウム（Ge）を使ってトランジスタの動作速度を3倍高める技術を開発した。IBM社が米国時間12月6日に明らかにしたもの。同技術は，現行のCMOS製造プロセスを利用できる。

　トランジスタを高速化する技術として，ストレインド・シリコン（Si）という手法を使うことがある。これは，トランジスタ内で電流が通るチャネル部分のSi層に応力を加えてひずませると，同層内でキャリアの移動度が向上する現象を利用している。この技術をGeに応用してストレインドGeを使えば，Siの場合よりもトランジスタの性能は高くなる。ただし，従来の半導体製造技術でストレインドGeを利用する手法は，これまで考案されていなかったという。

　同社は，従来のCMOS製造プロセスを用い，チャネル部分にストレインドGe層を設けることに成功した。「Geの導電率はSiより高いことが以前から知られており，当社が開発した製造プロセスでGe層をひずませたことで，より高い性能を実現できた」（同社）

　チャネル材料としてGeを使ったことで，LSI内の回路を微細化し，動作速度をさらに高めることも可能という。同社は，32nm以下のプロセス・ルールにも同技術が適用可能とみている。

　さらに，Geは二酸化シリコン（SiO2）に代わる高誘電率（high-K）ゲート絶縁膜材料として使える可能性もあるという。

　同社は，現行CMOS製造プロセスでストレインドGeを利用する技術の詳細を，2004年12月13～15日にカリフォルニア州サンフランシスコで開催されるInternational Electron Devices Meeting（IEDM）で発表する。

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