仏伊合弁のSTMicroelectronicsは，「Phase-Change Memory（PCM：相変化メモリー）」と呼ぶ新たな不揮発性メモリー（NVM）技術について大きな進展があったとスイスで現地時間6月16日に発表した。PCMはフラッシュ・メモリーよりも性能が高い可能性があるうえ，微細化に適しているので，STMicroelectronics社は「最終的にフラッシュ・メモリーを置き換えることもありうる」としている。
PCMは，電力を供給しなくても記憶した情報を保持できるNVMの一種。NVMとして，現在はフラッシュ・メモリーが広く使われている。半導体メーカーはフラッシュ・メモリーの微細化を進めており，1990年から2000年の10年間でセルサイズは30分の1に縮小した。ただし，今後もこのペースで微細化することは難しいという。
2001年にSTMicroelectronics社は，書き換え可能CDで利用されていた米Ovonyxの技術が半導体メモリーに応用できると判断。STMicroelectronics社は同じ年，「Ovonic Unified Memory」と呼ばれていた同技術のライセンスを取得するとともに，Ovonyx社と共同開発チームを立ち上げ，PCM技術の実用化に着手した。
PCMは，加熱により2つの安定した状態（アモルファス状態と結晶状態）を切り替えられるカルコゲニドという物質を利用している。カルコゲニドの抵抗値はアモルファス状態にあると高く，結晶状態にあると低いことから，状態を切り替える（相変化を起こす）ことで1ビットの情報を表現できる。
STMicroelectronics社はPCM技術の研究成果を2件の論文にまとめ，半導体関連の学会であるVLSI TechnologyとCircuits Symposiaで発表した。1件は，現在主流のLSI製造処理に組み込みやすいPCMのセル構造を紹介するもの。もう1件は，PCM技術で実際に製造した記憶容量8Mビットのメモリー・チップについてである。
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