米Intelは台湾で現地時間10月15日に，次世代携帯電話機向けメモリー・システム「StrataFlash Wireless Memory System」を発表した。カメラ画像やオーディオ／ビデオ・ファイルなど，大容量データを扱う組み込みアプリケーションに向ける。
StrataFlash Wireless Memory Systemは，1つのメモリー・セルで2倍の情報量を保存できるIntel社の多値セル（MLC：Multi-Level Cell）技術を基盤とする。また，開発者が必要とするコードの実行，データ保存，RAM用のワーク・エリアという3つのメモリー機能を備える。
動作電圧は長時間の連続動作が可能な1.8V。最大1Gビットのメモリー構成が可能である。大きさは8mm×11mmで，「携帯電話機メーカーの製品開発を簡略化できる」（Intel社）
同社上級副社長兼 Wireless Communications and Computing Group事業担当ジェネラル・マネージャのRon Smith氏は，「StrataFlash Wireless Memory Systemは，データの大容量化が急速に進む次世代携帯電話機のために設計した。当社は，製品の省スペース化と多機能化によって，メーカーのコスト削減と，設計の簡素化を支援する」と説明した。
同メモリー・システムは，Intel社の「Stacked Chip Scale Packaging（Stacked-CSP）」ファミリの新製品。Stacked-CSPでは，共通のピン配置と，同一のフラッシュ・ファイル管理ソフトウエアを採用することで，携帯電話機への実装と製品アップグレードを容易に行えるようにしている。
StrataFlash Wireless Memory Systemの価格は，組み合わせるフラッシュ・メモリーとRAM仕様によって異なる。現在サンプル出荷中で，量産出荷は2004年2月を予定する。
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