米Semico ResearchとカナダのSemiconductor Insightsが，フラッシュ・メモリー市場に関する調査結果を米国時間6月4日に発表した。それによると，NOR型フラッシュ・メモリー市場において米Intelの勢力は衰えることなく今後も続くという。
その理由として両社は，（1）Intel社の多値セル（MLC）技術，（2）成長の続く携帯電話機市場におけるOEM各社との密接な関係，（3）同社のフラッシュ技術に関する知的財産が有利に働くと説明する。「Intel社のMLC技術『StrataFlash』が従来のNOR型フラッシュ・メモリー素子に取って代わる状況が続き，アーキテクチャとしてMLCを選択できる状態になった」（両社）
「Intel社が採ってきた戦略は，マイクロプロセサ市場で競争を少なくした。同社は同じことをフラッシュ・メモリー市場でも実行しており，フラッシュ・メモリー生産技術の先進性を維持するために，競合他社の2倍に当たる資産をつぎ込んでいる」（Semiconductor Insights社のDevashish Paul氏）
Semico Research社のJim Handy氏によると，同市場ではNOR型の売上高が71％を占めているという。「しかし今後はやや低下し，2007年には63％をわずかに上回る程度になる。ただしその時点で，市場規模は2002年に比べ50億ドル以上拡大し290億ドルを超えるだろう。これはIntel社やそのほかのメーカーにとって大きなチャンスだ」（同氏）
なお両社は，「Intel社は技術面と生産能力で優れているが，今後も革新を継続させる必要がある」と指摘する。「米AMDと富士通などのライバル企業が多ビット・セル（MBC）構造を推進しており，StrataFlashに対抗する製品を開発する可能性がある」（両社）
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