米Freescale，90nmプロセスで24Mビット版シリコン・ナノ結晶メモリーを製造

ITPro

2005.11.29

　米Motorola傘下の米Freescale Semiconductorは，記憶容量24Mビットのシリコン・ナノ結晶メモリーを開発した。Freescale社が米国時間11月28日に明らかにしたもの。これにより同社は「浮遊ゲート技術を使った現行フラッシュ・メモリーの置き換えに大きく近付いた」としている。

　浮遊ゲート技術ベースのフラッシュ・メモリーは，組み込み用不揮発性メモリーとして普及している。しかし9～12V動作のデータ書き込み／消去用高電圧トランジスタに多くの面積が必要となり，製造プロセス・ルールを90nm以下に微細化してもメモリー・モジュール全体の小型化につながらないという。「信頼性を犠牲にしたり，メモリー故障やデータ損失のリスクを負わない限り，浮遊ゲート技術フラッシュ・メモリーの高電圧部分は縮小できない」（同社）

　シリコン・ナノ結晶メモリーは“薄膜ストレージ”と呼ぶ技術の一種で，不揮発性を示す。同社では「同メモリーのトンネル酸化膜の厚みはデータ保持性能に影響を与えず薄くできるので，従来の浮遊ゲート技術フラッシュ・メモリーよりも微細化が可能」と説明する。

　シリコン・ナノ結晶メモリーについて，Freescale社CTOのClaudine Simson氏は「動作電圧が低く，メモリー・モジュールの微細化が可能で，製造プロセスも比較的簡単」と述べる。さらに，「製造にあたって新しい素材やウエーハ製造装置などは不要で，既存の工場をすぐにシリコン・ナノ結晶メモリー対応に変えられる」（同氏）

　同社は実際に作動する24Mビット版シリコン・ナノ結晶メモリーの製造を，同社のオースチン技術＆製造センターで90nmプロセスCMOS量産技術を適用して実施した。