韓国のSamsung Electronicsが，記憶容量16GビットのNAND型フラッシュ・メモリーを現地時間9月12日に発表した。50nmプロセス・ルールを適用しており，2006年後半に量産を開始する。
50nmルールを量産品に直接適用するのは「これが業界初」（Samsung社）。同社が独自開発した3次元トランジスタ・アーキテクチャも採用し，164億個のトランジスタを集積した。各トランジスタの厚みは，毛髪の2000分の1という。
メモリー・セルのサイズは，2004年に60nmルールで開発した8Gビット版NAND型フラッシュ・メモリーよりも25％小さくなり，1ビット当たり0.00625平方μm。セルが小さくなった効果で，セル間のノイズ・レベルも大幅に下がったとする。
16Gビット版フラッシュ・メモリーを16個実装すると，32Gバイトのメモリー・カードが実現できる。こうしたカードを使えば，新聞なら200年分，MP3音楽データなら8000曲分（680時間分），DVD画質の映画なら20本分（32時間分）をモバイル機器で持ち運べる。
「新開発の16Gビット版フラッシュ・メモリーは，小型ハード・ディスク装置（HDD）どころかノート・パソコン用HDDの代替品として，モバイル機器分野でNAND型フラッシュ・メモリー市場の拡大をさらに加速する」（同社）
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