米Intelは，マルチ・レベル・セル（MLC）技術を適用した携帯電話機／組み込み機器向けNOR型フラッシュ・メモリー「Intel StrataFlash Cellular Memory（M18）」の量産出荷を開始する。Intel社が米国時間11月17日に明らかにしたもの。製造プロセス・ルールは90nmで，従来の130nm版に比べデータ転送速度が高く，消費電力が少ないという。
同社は「M18は業界最高のデータ読み出し速度を提供する。次世代の携帯電話機向けLSIのバス・クロック周波数と同じ最大133MHzで動作可能」と述べる。書き込み速度は最大0.5Mバイト／秒あり，300万画素のスチル・カメラやMPEG-4ビデオ・カメラのデータ保存に使える。データ転送の高速化は，M18を機器に組み込むOEMにとってもメリットであるという。「機器製造時のデータ書き込み速度が130nm版に比べ最大3倍速いので，製造コストの低減につながる」（同社）
従来製品より省電力化した結果，処理に必要な消費電力はデータ書き込み時では3分の1に，データ消去時では約半分になった。省電力動作モード「Deep Power Down」も備えており，機器のバッテリ駆動時間を長くできるという。
90nmに微細化してメモリー・セルを高密度化したため，単一ダイで256Mビットおよび512Mビット，複数ダイをスタックすると最大1Gビットの製品を供給できる。
また同社は，フラッシュ・メモリー用ファイル・システムの新版「Intel Flash Data Integrator（FDI）v7.1」をロイヤルティ・フリーで提供する。
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