東芝と同社米国子会社Toshiba America Electronics Components（TAEC）が米国時間9月20日に，64Mビットの疑似SRAM（PSRAM：Pseudo Static Random Access Memories）「TC51W6416XB」と「TC51W6417XB」を発表した。大量のメモリーが要求される次世代無線および携帯通信機器に向ける。

　PSRAMは，SRAMとDRAM（Dynamic Random Access Memory）の長所を組み合わせ，高密度化と低消費電力化を図ったもの。インタフェースをSRAMと同じにし，セル構造はDRAMと同様にしている。また，個別のDRAMコントローラを必要としないため，パッケージの小型化が可能。

■TC51W6416XBとTC51W6417XB主な仕様

品番                     TC51W6416XB                   TC51W6417XB

クロック・タイプ          /CE                           /OE，/WE

語構成                    4M語 x 16ビット               4M語 x 16ビット

製造プロセス              0.175μｍ                     0.175μｍ

電源電圧                  2.5V～3.1V                    2.5V～3.1V

アクセス時間              80～85n秒                     80～85n秒

スタンドバイ時の消費電流  100μA                        100μA

ディープ・スタンドバイ時

の消費電流                5μA                          5μA

パッケージ                48端子BGA，端子ピッチ0.8mm    48端子BGA，端子ピッチ0.8mm

　TC51W6416XBとTC51W6417XBは10月にサンプル出荷を開始する。価格はともに42ドル。2002年1月に量産体制に入る予定である。

　今回発表したPSRAMは，東芝と米Denali Softwareが共同で開発するシミュレーション・モデル「Specification of Memory Architecture（SOMA）」でサポートする。SOMAファイルは新たなシステムの開発および検証時における，メモリ・デバイスのタイミングと機能のシミュレーションに利用される。

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