ドイツのInfineon Technologiesと米Micron Technologyが5月30日に，メモリ・アクセスから最初のデータが読み出されるまでの時間，いわゆるレイテンシを短縮した高速DRAM「Reduced Latency DRAM (RLDRAM)」の開発で協力体制を敷くことを明らかにした。

　RLDRAMは1ピン当たりのデータ転送速度が最大600Mビット/秒。「DRAMとSRAMのギャップを埋める」（両社）。

　Infineon社とMicron社はRLDRAMを，「スイッチやルータといった高速アプリケーションで使われるメモリの標準にしたい」としている。両社は協力してRLDRAMに関してピン互換および機能互換の製品を開発する。

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