米IBMと独Infineon Technologiesが米国時間12月7日に，不揮発性メモリのMRAM(Magnetic Random Access Memory)を共同開発することを明らかにした。
「ポータブル機器の電池動作時間を飛躍的に延ばし，電源を入れればすぐに立ち上がる『インスタント・オン』のコンピュータを実現する」（両社）。MRAMは，データを記憶するのに磁気を使うメモリ素子である（既存の多くのメモリ素子は電子の力を借りる）。
両社はDRAM技術の共同開発などで10年以上提携関係にある。今回のMRAM共同開発は，この提携関係を拡大するものとなる。
「Infineon社との提携は，MRAMの実用化に向けた大きな一歩となる。開発のスピードを高める」（IBM社Microelectronics部門担当副社長のBijan Davari氏）。製品出荷は2004年を見込む。
MRAMは大容量で，書き換えや読み出しが高速である。また低消費電力という特徴を備える。電源を切ってもデータを保持する，いわゆる不揮発性のメモリなので，主記憶にハード・ディスク装置からデータをロードする必要がなくなり，パソコンなどにおける「ブート」時間の大幅な短縮が図れる。
IBM Researchは1974年に，MRAMの基本構造「Magnetic Tunnel Junction」を開発した。この技術を用いて1998年には，実際に動作するメモリ素子を作り上げた。また2000年2月に行われたLSI回路技術に関する国際会議「ISSCC」で1KビットのMRAMを初披露している。
今回の共同開発では，IBMのMRAM技術とInfineon社の大容量メモリ技術のノウハウを持ち寄る。両社から合わせて80人のエンジニアおよび研究者が，IBM社のThomas J. Watson Research Center（NY）やAlmaden Reseach Center（サンノゼ）などで開発にあたる。MRAM製品の登場は2004年を予定している。
