米Alpha and Omega Semiconductor（A＆O）社は、広い面積のソース電極を裏面に設けた新型パッケージに封止した＋40V耐圧のパワーMOSFET「AOE66410」を発売した（ニュースリリース）。nチャネル品である。今回の新型パッケージを採用することで、パッケージの抵抗とインダクタンスを低減できるという。パッケージに内蔵したパワーMOSFETチップは、同社独自の「AlphaSGT（Shield Gate Technology）」で製造した。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が＋10Vのときに1.0mΩ（最大値）、＋4.5Vのときに1.5mΩ（最大値）といずれも低い。さらにソース電極の接続面積が大きいため、今回の製品を並列接続（パラレリング）しても、電力損失を低減でき、放熱対策が容易になるとしている。通信機器に搭載するスイッチング電源の2次側同期整流（SR：Secondary Rectification）回路や、ブラシレス直流（DC）モーター駆動のハーフブリッジ回路、バッテリーマネジメント回路などに向ける。
ゲート-ソース間電圧は±20V。最大ドレイン電流は、連続時に100A、パルス時に400Aである。全ゲート電荷量は、ゲート-ソース間電圧が＋10Vのときに113nC（標準値）、＋4.5Vのときに50nC（標準値）。入力容量は9000pF（標準値）。出力容量は1600pF（標準値）。帰還容量は92pF（標準値）。ゲート抵抗は1.1Ω（標準値）である。ターンオン時の遅延時間は18ns（標準値）で、立ち上がり時間は8ns（標準値）。ターンオフ時の遅延時間は83ns（標準値）、立ち下がり時間は10ns（標準値）である。パッケージの外形は、実装面積が5mm×6mmの8端子DFNと同じ。すでに量産出荷を始めている。1000個購入時の米国での参考単価は1.95米ドルである。
