韓国のSamsung Electronicsの米国子会社Samsung Semiconductorが米国時間4月10日に，次世代の無線デバイス向けの新しい512MビットMobile-Synchronous DRAM (SDRAM)のサンプル出荷を発表した。
同メモリーは，0.15ミクロン技術を採用している。フットプリントが小さく，軽量かつ消費電力が小さいため，次世代無線デバイスに最適だという。第3世代モバイル・ハンドセット，PDA，デジタルカメラなどへ向けられる。
これまでの低消費電力SDRAMは，3.3ボルトで動作したが，同製品は2.5ボルトで動作する。また待機電力消費については，従来のSDRAMの半分になっている。これは，「Partial Array Self Refresh (PASR)」と「Temperature Compensated Self-Refresh (TCSR)」の2つの技術によって実現された。PASRは，データを含むバンクの中だけで自動でリフレッシュを実行する技術。TCSRは，デバイスの温度によりリフレッシュ速度を調整する技術である。
同社は，64Mビット，128Mビット，256MビットのMobile-SDRAMの量産を開始しており，2003年までにMobile-SDRAM市場で50％のシェア獲得を目標としている。
512MビットのMobile-SDRAMのサンプルは，ディストリビュータを通じて入手できる。
◎関連記事
■韓国サムスンが米マイクロソフトと「Xbox」向けメモリー供給で提携
■ Samsung，288MビットのRDRAMの一般サンプルを開始
■富士通と子会社が4スタック型MCP製品を発表，次世代携帯電話に向ける
■台湾のTSMCが90ナノメータ技術で4MビットSRAMチップの製造に成功
■ 2月8日までの世界DRAM価格調査，PC133／16M×8の30日間移動平均値は対前週比で北米＋12.67％，欧州＋15.30％，アジア＋18.86％
［発表資料へ］
