米IBMと米AMDは，液浸リソグラフィ技術，超low-k（低誘電率）絶縁膜，複数の歪トランジスタ技術を用いた45nmルールのプロセス技術の成果について，米国時間12月12日に明らかにした。サンフランシスコで開催中のInternational Electron Devices Meeting（IEDM）で報告したもの。同プロセス技術を採用した最初の製品は2008年半ばに投入する見込みという。
従来のリソグラフィによるプロセス技術では，65nmより細かいマイクロプロセサを設計するには制約が大きい。液浸リソグラフィは，リソグラフィ・システムのプロジェクション・レンズとウエーハの間に透明な液体を入れる方法で，チップ性能と製造効率を高めることができる。この手法を利用したSRAMセルは「約15％性能が向上した」（両社）。
また，超low-k絶縁膜を使用することで，配線間の静電容量を低減し，配線遅延時間を短縮できる。従来のlow-k絶縁膜と比べ，「配線遅延を15％改善できた」（両社）としている。
さらに両社は，歪トランジスタ技術を強化し，従来のトランジスタ技術と比べた駆動電流をpチャネル型で80％，nチャネル型では24％引き上げたと報告した。
両社はLSI製造技術の開発に関する提携を2003年に締結。2005年には，契約期間を2011年まで延長し，32nm／22nmプロセスの研究にも取り組むことを発表している。
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