米IBMと米AMDは，将来の高性能製品で使用するLSIを製造するための技術を共同開発することで合意した。両社が米国時間1月8日に明らかにしたもの。
両社が開発する製造プロセスは，高速シリコン/絶縁膜構造（SOI）トランジスタ，銅配線，低誘電率（low-k）絶縁体の改良など，最新の構造や材料を利用するという。さらに，65nmおよび45nm技術の300mmウエーハへの導入も共同で行うとしている。「新しい製造プロセスは，マイクロプロセサの性能向上と消費電力削減が目的」（両社）
共同開発した技術は，それぞれの自社工場や製造パートナが製品を生産する際に利用できる。両社では，65nm技術を使った最初の製品の登場が2005年になるとみる。
「当社は2003年第4四半期に90nm技術を使った製造を開始する計画なので，65nmプロセス以下の当社製次世代プロセサに向け製造技術を発展させていく」（AMD社技術業務担当上級副社長兼主任科学者のBill Siegle氏）
共同開発業務は，両社の技術者がニューヨーク州イースト・フィッシュキルのIBM社施設内にあるSemiconductor Research and Development Center（SRDC）で進める。実際の作業は遅くとも2003年1月30日には開始する予定。
なお米メディアの報道（InfoWorld）によると，AMD社は台湾のUnited Microelectronicsと提携し，現在シンガポールで300mmウエーハ対応工場を建築中である。生産開始は早くても2005年になるという。
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