米IBMは米国時間2009年4月16日，28nmルールによる高誘電率絶縁膜／金属ゲート電極（HKMG：high-k/metal gate）CMOS製造プロセスの技術プラットフォームを発表した。この開発には，シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing，米GLOBALFOUNDRIES，独Infineon Technologies，韓国Samsung Electronics，仏伊合弁STMicroelectronicsの5社も参加した。
同プラットフォームの技術評価キットは，一部顧客への早期提供を2008年12月，一般提供を2009年3月に開始済み。リスクの伴う限定的な生産（risk production）は2010年下半期に開始する見込み。6社は現行の32nmルール対応プラットフォームを利用している顧客に対し，28nm版HKMG CMOSへの移行を支援していく。28nmへ移行すると，大きな設計変更を施すことなくLSIを高密度化／省電力化できるとしている。
顧客の協力などで得たデータを見ると，45nmから28nmへの微細化でLSIのサイズが半分で済み，動作速度が40％向上し，消費電力は20％以上少なくなった。HKMGの採用により，面積0.120平方ミクロンという業界最小クラスのSRAMセルでも漏れ電流を抑えることが可能となり，低電圧で安定した高速動作を実現できたという。
なお，IBMを中心とする共同開発アライアンスは，以前から32nmプロセス対応プラットフォームなどを提供している（関連記事：IBMなど7社が32nmのLSIを試作，35％高速で50％省電力に ／IBMなど5社，CMOS製造向け32nm共通プラットフォームの開発で協力）。
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