米IBM，シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing，韓国Samsung Electronics，ドイツInfineon Technologies，米Freescale Semiconductorの5社は32nmルールによるLSI製造プロセスの共同開発に取り組み，量産でも協調する。5社がそれぞれ現地時間5月23日に明らかにしたもの。
この共同開発は，「Common Platform」と呼ぶLSI製造“共通プラットフォーム”で提携しているIBM，Chartered，Samsungの3社に，InfineonとFreescaleが協力して実施する（関連記事）。
5社は，32nmルールに対応するCMOS製造プロセス技術と同技術用のプロセス・デザイン・キット（PDK）を開発し，量産に適用する。期間は2010年までの予定。
開発作業は，ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるIBMの300mmウエーハ対応工場で行う。高誘電率（high-k）絶縁膜，金属ゲート電極，歪み技術，超低誘電率（ELK）絶縁膜，液浸リソグラフィ技術などを採用する。
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