32nmルールによるLSI製造プロセスの共同開発に取り組んでいる米IBM，シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing，米Freescale Semiconductor，ドイツInfineon Technologies，韓国Samsung Electronics，仏伊合弁STMicroelectronics，東芝の7社は米国時間2008年4月14日，高誘電率絶縁膜／金属ゲート電極（HKMG：high-k／metal gate）トランジスタ・ベースのLSIを試作し，少ない消費電力で高速動作することを確認できたと発表した。2008年第3四半期より量産に向けた段階的な試作作業を開始する予定。
45nmルールで製造した同様のLSIよりも速度が最大35％速く，消費電力が30～50％少なかった。また，多結晶シリコン／酸窒化シリコンという既存材料を使って32nmルールで作ったLSIに比べ，最大40％高速化できた（関連記事：IBMなど，32nm向けhigh-k絶縁膜／金属ゲート電極の新製造手法を開発，2009年後半に導入）。
試作LSIは，ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるIBMの300mmウエーハ対応工場で開発した。
米メディア（InfoWorld）によると，IBMは32nmルール／HKMGトランジスタ製LSIの量産を2009年後半に開始する計画という。
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