32nmプロセスで製造したhigh-k絶縁膜／金属ゲート電極ベースのSRAM
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米IBM，米AMD，シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing，米Freescale Semiconductor，ドイツInfineon Technologies，韓国Samsung Electronicsの6社は米国時間12月10日，32nmプロセス・ルール向け高誘電率（high-k）絶縁膜／金属ゲート電極トランジスタの新たな製造手法を開発したと発表した。新手法は，2009年下半期よりIBMの提携企業とその顧客企業で導入可能とする予定。
新手法の名称は「high-k gate-first」で，製造プロセスの最初にhigh-k絶縁膜／金属ゲート電極を作る。32nmプロセスLSIで同電極を採用する際の負担を軽減できるという。
6社はこの手法で作ったhigh-k絶縁膜／金属ゲート電極によるCMOS技術を用い，32nmプロセスでメモリー・セルの面積が0.15平方マイクロ・メートルのSRAMを製造した。従来の手法による場合と比べ，ダイ・サイズは最大50％小さくなり，消費電力は約45％減，処理性能は最大30％向上した。
さらに，6社はこの新手法を32nmプロセスのシリコン／絶縁膜構造（SOI：Silicon On Insulator）技術にも適用していく。
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