米IBMとTDKは，スピン注入磁化反転法ベースの新型Magnetic RAM（MRAM）を共同で研究／開発する。両社が米国時間8月19日に明らかにしたもの。
従来のメモリー素子が電荷を利用して情報を記憶するのに対し，MRAMは磁気を用いるメモリー。ハード・ディスク装置の読み書きヘッドにも使われるトンネル磁気抵抗（TMR：Tunnel Magneto Resistance）素子でメモリー・セルの磁化方向を変え，それに応じた電気抵抗値の変化で情報を表現する。
電源を切っても情報維持が可能な不揮発性を備える。大容量で，書き換え／読み出しが高速，低消費電力という特徴もある。そのうえ，書き換え回数に制限がない（関連記事：次世代不揮発性メモリー（下））。
IBMとTDKは，スピン注入磁化反転法を用いることで，MRAMの長所である低消費電力，書き換え回数無制限，不揮発性を維持しつつ，MRAMのセル・サイズを小さくし，経済的に全体のメモリー容量を増やせると見込む。
両社の研究作業は，IBMのThomas J. Watson Research Center（ニューヨーク州ヨークタウンハイツ），Almaden Research Center（カリフォルニア州サンノゼ），ASIC Design Center（バーモント州バーリントン）と，カリフォルニア州ミルピータスにあるTDK子会社の研究開発センターで行う。
米メディア（CNET News.com）によると，IBMとTDKは4年以内に65nmプロセス・ルールで新型MRAMの試作品を開発する計画という。
別の米メディア（InfoWorld）によると，かつてIBMはMRAM分野でドイツのInfineon Technologiesと提携していたという（関連記事：米IBMと独インフィニオンが不揮発性メモリMRAMで提携，2004年にも製品化）。また同メディアは，米Freescale Semiconductorが2006年7月に記憶容量4MビットのMRAMを製品化したと報じている（関連記事：Freescale，業界初のMRAMチップ量産出荷---4Mビットで25ドル）。
