米IBMはスイスで現地時間2008年6月5日，3次元（3D）積層LSIのダイの間に水を通して冷やすLSI冷却技術を発表した。ダイの隙間から熱を奪うことができ，発熱の大きな3D積層LSIを効率よく冷やせるという。
試作した面積1平方cmのLSIでは，縦方向に積み上げたダイの間に高さ100μmの冷却層を設け，太さ50μmの水路を作った。垂直方向の接続部は1万カ所ある。この水路に水を流し，ダイから出る熱をLSI外部に運ぶ。実験結果を基にシミュレーションし，この冷却技術を面積4平方cmのLSIに適用すれば1平方cm当たり最大180Wの冷却能力が得られると予測した。
なお，3D積層LSIの発熱量は面積4平方cm，厚さ約1mmの場合1kW弱で，料理用ホットプレートに比べ10倍多いという。
同技術を開発したIBMの研究所IBM Zurich Research Laboratoryとドイツのフラウンホーファー研究所によるグループは，今後より小さなLSIへの応用，水路接続部の増加，冷却効率の向上を目指す。
3D積層LSIは，複数のダイを平面状でなく立体状に配置してパッケージに封止する。パッケージのサイズを小さくできるうえ，ダイ同士でやり取りする情報を増やせることから，全体的な性能向上につながる（関連記事：IBM，LSI量産に適用可能な半導体3D積層技術を発表，2008年に量産出荷）。
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