米IBMは米国時間4月12日，LSI量産に適用可能な半導体ダイ3次元（3D）積層技術「スルー・シリコン・ビア（TSV：Through-Silicon Via）」を発表した。既にIBMは同技術を実際に製造ラインで使用しており，サンプル出荷を2007年下半期，量産出荷を2008年に開始する予定。

　複数のダイを平面状でなく立体状に配置すると，パッケージを小さくできる。さらに，ダイのあいだでやり取りする情報を増やせることから，全体的な性能向上につながる。

　ダイを3D積層する手法としては，ダイ間をワイヤー・ボンディングで接続するマルチ・チップ・パッケージ（MCP：Multi-Chip Package）という技術がある。これに対しTSVは，ダイに穴を開けて金属を満たし，ダイ間の接続を行う。接続用のワイヤーが不要となるため，ダイ同士の間隔を狭められる。

　ダイを横に並べる方法と比べると，TSVはダイ間の信号経路が1000分の1に短くなる。信号経路の本数は最大100倍に増やせるという。

　IBMでは，TSVは省電力化にも有効としており，シリコン・ゲルマニウム（SiGe）製の無線通信LSIにTSVを適用すると電力の利用効率が最大40％向上するとみる。「Power」などでTSVを利用すれば，LSI内の電源モジュールとプロセサ・コア・モジュールを近づけて配置できるようになり，速度向上と最大20％の省電力化が両立可能という。

　IBMは，当初TSVを無線通信LSIに適用し，その後スーパーコンピュータや高性能サーバー向けの各種LSIに範囲を広げる。

　なお韓国のSamsung Electronicsも，2006年4月にTSV技術を発表している。

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