米IBMが米国とスイスで現地時間3月22日，新しいLSI冷却技術「high thermal conductivity interface technology（高熱伝導率インタフェース技術）」の詳細を発表した。同技術を電子基板へのLSI実装時に適用すると，LSIの冷却効率を大幅に向上できるという。
この技術は，IBMの研究所IBM Zurich Research Laboratoryが中心となって開発した。概要は2006年10月に公表済み（関連記事）。
LSI冷却時には，LSIとヒート・シンクなどとのあいだに特殊な樹脂材料を塗布し，接触性を高めて熱を移動しやすくする。この樹脂材料には，熱伝導性を高める目的で，マイクロ・メートル大の金属またはセラミックスの粒子を入れる。ただし，粒子の含有率を上げても，冷却効率の改善は頭打ちになってしまうという。また，塗布する樹脂の厚みが薄いほど全体の冷却能力は高まるが，ヒート・シンクをただ圧着して樹脂を延ばすとLSIが損傷することもある。
そこでIBMは，圧着時に樹脂が延びる過程を詳しく調べ，より薄く均一に塗布できる手法を開発した。具体的には，圧着面に樹木の枝がつながったような構造で，深さがマイクロ・メートル程度の溝を設け，LSIとヒート・シンクの圧着を行った。
その結果，かける圧力を減らしても樹脂内の粒子が均一に広がるようになり，樹脂自体の厚みは従来の3分の1になったという。樹脂部分の熱抵抗も，3分の1未満に減らせる。少ない圧力でLSIを実装できるため，LSIの損傷も減らすことができる。
IBMでは，既存のLSI製造工程に改造を加えるだけで，この冷却技術を導入できるとみる。現在LSI製造装置メーカーなどと協力し，対応ツールの開発に取り組んでいる。
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