米IBMの研究所IBM Zurich Research Laboratoryは，新しいLSI冷却技術「high thermal conductivity interface technology（高熱伝導率インタフェース技術）」を開発した。IBMが英国時間10月26日に明らかにしたもの。現在の冷却技術に比べ，冷却能力が2倍高いという。
LSI冷却時には，LSIとヒート・シンクなどとのあいだに特殊な樹脂材料を塗布し，接触性を高めて熱を移動しやすくする。塗布する樹脂の厚みが薄いほど，全体の冷却能力は高まる。ただし，ヒート・シンクをただ圧着して樹脂を延ばすと，LSIが損傷することもある。
IBMは，ヒート・シンクと樹脂のあいだに「碁盤の目」状の細かい溝を持つ構造を設け，溝のある面で樹脂に圧力をかけるようにした。これにより，従来の手法よりも均一に樹脂が伸びるようになり，LSIにもむらなく圧力が加わるようになったという。「（従来の）半分程度の圧力で適切な均一性を確保できると同時に，LSIヒート・シンク間の熱輸送量を10倍に上げられる」（IBM）
さらにIBM Zurich Research Laboratoryの研究グループは，「碁盤の目」構造による冷却技術を発展させ，LSI表面に液体を直接噴射して冷却する技術「direct jet impingement（直接ジェット衝突）」の開発に取り組んでいる。
この技術は，5万本の微細なノズルからLSIのパッケージに液体を噴射することで，LSIから熱を奪う。冷却液として水を使って試験したところ，冷却能力は1平方cm当たり最大370Wあった。この冷却能力は，IBMによると「1平方cm当たり75W程度という現行空冷技術の限界より6倍以上高く，ほかの冷却システムに比べ（冷却液を循環させる）ポンプの消費電力が相当少ない」という。
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