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インタビュー

米マイクロンのNAND型フラッシュとSSD戦略

ケビン・キルバック氏 米マイクロン テクノロジー NANDプロダクトグループ ストラテジックマーケティングディレクター

大原 雄介=テクニカルライター 2010/03/12 日経WinPC

 米マイクロン テクノロジーは、Serial ATA 6Gbpsに対応したSSD「RealSSD C300」を2010年2月、日本国内で発売し、NANDフラッシュの分野でも急速に存在感を増している。今回、米本社からNANDプロダクトグループ ストラテジックマーケティングディレクターのケビン・キルバック氏が来日、同社の製品の詳細やロードマップなどについて語った。

米マイクロン テクノロジー、NANDプロダクトグループ ストラテジックマーケティングディレクターのケビン・キルバック氏。手にしているのは「RealSSD C300」。
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25nmプロセスのNANDフラッシュを発表

 マイクロンは2010年2月、業界初となる25nmプロセスを利用したNANDフラッシュを発表した。この25nmというプロセスは、「フラッシュメモリーだけでなく、半導体業界全体で初めてである」(キルバック氏、以下同)とする。

 研究や試作用のものでは22nmプロセスのものは存在するが、今のところIntel製CPUの32nmプロセスが最も微細化が進んだ量産プロセスである。この32nmとこれに続く28nmが、CPUやグラフィックスチップで、この先2年程度、使われることになる。

 一方、DRAMやフラッシュメモリーではいち早く30nm台のプロセスを利用していたが、量産を開始したのは2009年末から2010年にかけてだ。マイクロンのプロセスは他と比べて圧倒的に進んでいる。

 一般に製造プロセスを微細化すると、ダイサイズを増やさずに回路規模を大型化でき、コスト面での競争力は非常に大きい。34nmプロセスで造られた製品と比較した場合、同一ダイサイズでほぼ倍の容量が実現できる。

 半導体の原価は、厳密には工場や製造装置の投資分も上乗せしなければならないものの、ほぼダイサイズで決まる。フラッシュメモリーなら同一コストで2倍の容量が実現できることになる。逆に同一容量で言えば原価をほぼ半分に落とせる計算になる。

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