大容量化で一歩先を行く
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| 写真6●マイクロドライブの内部構造 TypeIIのCompactFlashに小さなハードディスクを内蔵している。現行製品の最大容量は1Gバイトである。 |
CompactFlashは，多くのフラッシュメモリー・チップを搭載できるため，大容量化でも他の規格を一歩リードしている。2003年2月現在，1Gバイトの製品が存在する。
より大容量の製品としては，厚みを3.3mmから5mmに増やしたTypeIIのCompactFlashに小型のハードディスクを内蔵したマイクロドライブがある（写真6）。日本IBMが開発した。現在は，日本IBMのハードディスク部門を吸収した米Hitachi Global Strage Technologies社の製品になる。
マイクロドライブは2003年秋に，4Gバイトと2Gバイトの製品も登場する。大容量化に当たっては，読み書きするためのヘッドを従来のサイズより4割小さくしてヘッドが動く面積を増やした。そして，ディスクのコーティング技術である「Pixie Dust」を利用して記録密度を大幅に向上させた。容量だけでなく，データ転送速度も約5割向上するという。
ただし，4Gバイトのマイクロドライブは機器側の対応に注意する必要がある。現行機器の多くはメモリーカードのファイル・システムにFAT16を採用している。このため，最大2Gバイトまでしか認識できない。4Gバイトのマイクロドライブを利用するには，機器側がFAT32に対応している必要がある。
メモリーカードを大容量化するさまざまな工夫
メモリーカードの容量は，(1)1枚のシリコンチップの記録容量を増やす，(2)複数のシリコンチップを内蔵する，という2通りの方法を組み合わせて大容量化する（図A[拡大表示]）。(1)を実現するには二通りの方法がある。半導体のプロセスを微細化して記録するセルの数を増やす方法と，1セルに記録できるビット数を増やす方法（多値化という）である。(2)の場合も二通りの方法がある。1パッケージに複数のシリコンチップを縦に積んで（積層して）入れる方法と，メモリーカードに内蔵するパッケージを増やす方法だ。 フラッシュメモリーは，通常は1セルに1ビット（0か1）を記録する。これに対し，多値では，一つのセルに複数のビットを記録する。1セルに2ビット記録する場合は，同じセル数で容量が2倍になる。 多値のうち，4値（2ビット）の場合を例にとってみよう（図B[拡大表示]）。フラッシュメモリーは，1セルに一つのトランジスタを持っている。トランジスタの中に電荷があるかないかで0か1かを判別する。電荷がある場合は0，電荷がない場合は1になる。それに対して多値の場合は，11，10，01，00という四つの状態を作る。具体的には，電荷がない場合を11，ある場合を3段階に分けてそれぞれ10，01，00を記録する。読み出し時には，電荷量に応じた電圧をかけて四つの状態を判別する。 (1)の方法は，大容量チップが量産されるようになればコストは下がる。これに対し，(2)の方法はチップの枚数が増えるためコストがかかる。松下の512MバイトのSDメモリーカードは，特殊なパッケージ技術を使い，64Mバイトのシリコンチップを8枚内蔵している（図C[拡大表示]）。そのため，大容量化と引き換えに価格は4万円前後と高い。
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