米IBMは米国時間9月9日に，半導体素子の性能向上と省電力化を実現する2つの半導体製造手法について発表した。1つはストレインド・シリコンとシリコン／絶縁膜構造（SOI）を直接組み合わせるSSDOI技術。もう1つは，相補型金属酸化被膜半導体（CMOS）の製造時に2種類のシリコン・サブストレート層を同一ウエーハ上で使用する技術である。
ストレインド・シリコンでは，シリコン・ゲルマニウム（SiGe）の下位層とともに一番上にあるシリコン層を引き伸ばすことで，電子の移動度を高められる。これまでの研究でIBM社は，「ストレインド・シリコンを使うことで，20％～30％性能を向上させることができた」としている。
ただしこの方法は，SiGe層があるため製造が難しいという。そこで同社は，「SiGe層を迂回する極めて薄いSSDOI構造を持つトランジスタを初めて製造し，「高い電子移動度を実現すると同時に，製造時の問題を解決した」（同社）。
さらに同社は，2種類のサブストレートを1つのウエーハで組み合わせることで，正孔（ホール）の移動度が従来技術で製造したCMOSに比べ2.5倍高い素子を開発したという。「これにより，CMOSの性能を40％～65％高められる」（同社）
両技術について，同社の研究開発部門IBM Research科学技術担当副社長のT. C. Chen氏は「標準的なウエーハ処理手法を使って比較的簡単に導入できる」と述べる。「どちらか一方の技術を使うことで，性能向上と省電力化を達成できる。両方を組み合わせれば，さらなる性能向上と省電力化が可能だ」（同氏）
同社は2つの技術の詳細を，2003年12月7日～10日にワシントンD.C.で開催されるInternational Electron Devices Meeting（IEDM）で発表する。論文の題名は，「Fabrication and Mobility Characteristics of Ultra-thin Strained Si Directly on Insulator（SSDOI）MOSFETs」と「High Performance CMOS Fabricated on Hybrid Substrate with Different Crystal Orientations」。
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