ドイツのInfineon Technologies AGは，1GビットのDDR SDRAMメモリーのサンプル出荷を開始した。同社が現地時間8月26日に発表した。同社の110ナノメータ（nm）ルールのCMOS技術を用いて製造する。同チップのサイズは，160平方mmで業界最小だという（同社）。
新しい1GビットのDDR SDRAMは，66ピン400mil TSOPまたは68ボールFBGAパッケージで提供。各DDR SDRAMは，133～200 MHzのクロック周波数で，266M～400Mbpsの伝送速度を提供する。
高密度の実現に向け，同社は4Gバイトのモジュールを製造するためにスタック型FBGAパッケージを利用する。「Dual Die Stack」と呼ぶ同技術は，チップを重ねてカプセル化するもの。そのため，ボード面積に対して高いメモリー密度を実現可能になる。また，4GバイトのDIMMは，スタック型TSOPパッケージでも提供される。
ターゲット製品は，ハイエンドのサーバー，ワークステーション市場向けの4Gバイト，2GバイトのDIMM。また，ノートブック向けには，2Gバイト，1GバイトのSO-DIMM（Small-Outline DIMM）をターゲットとする。これらモジュールは，同年第3四半期にサンプル出荷され，2004年初旬に量産体制に入る予定。
1GビットのDDR SDRAMの一般に向けた出荷は，同年の第4四半期に予定されている。
◎関連記事
■「世界DRAM市場はこれから回復へ，2003年の売上高は前年比21.8％増の189億ドル」，米Gartner
■独Infineonと米Micron，新メモリー仕様「RLDRAM II」を完成
■米Cypress，独Infineon，米Micronが32Mビット擬似SRAMをサンプル出荷
［発表資料へ］
