米AMDは,「現行品より最高30%高速」(AMD社)に動作するP型金属酸化膜半導体(PMOS)トランジスタの開発に成功した。AMD社が米国時間4月2日に明らかにしたもの。同トランジスタは,一般に完全空乏型シリコン絶縁膜構造(SOI)と呼ぶ手法など,同社が独自開発した技術を使用したという。
また同社は,「金属製のゲートをうまく用いることで,性能が従来のものに比べ20%~25%高いひずみSiトランジスタの開発に業界で初めて成功した」としている。
同社によると,これらの成果が半導体製造で重要な役割を果たすのは,5年以上あとになるという。
なお同社は,2003年6月11日と12日に京都で開催されるVLSI Symposiumで,両トランジスタの詳細について発表する予定である。
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