米インテルが携帯電話機向けフラッシュ・メモリーとプロセサを発表

井上望

2002.10.16

　米Intelが台湾の台北で現地時間10月15日に，携帯電話機向けのフラッシュ・メモリーLSI「Intel StrataFlash Wireless Memory」およびマイクロプロセサ「Intel PXA261」「Intel PXA262」を発表した。これらの製品により，「携帯電話機のバッテリ駆動時間，性能，記憶容量の飛躍的な改善に貢献する」（Intel社）という。

　Intel StrataFlash Wireless Memoryは，メモリー素子を多層化する同社の「StrataFlash」技術により，一つのメモリー・セルに2ビットの情報を格納できる。そのため1セル当りの記憶容量が2倍になる。動作電圧は1.8Vで，製造プロセスは0.13μmルール。記憶容量が64Mビット，128Mビット，256Mビットの製品を用意する。

　「多値フラッシュ・メモリーでは世界一低い1.8Vという動作電圧により，これまで最も低消費電力であったフラッシュ・メモリーに比べ約40％消費電力を低減できる」（同社）としている。

　さらに同社は今後，4つのIntel StrataFlash Wireless Memoryを組み合わせることで，1.8V動作／1Gビットの単一パッケージ・メモリーを製造するとしている。

　「より高密度のメモリーをより狭い空間に実装することは，システム・コスト削減，全体的な基板面積の縮小，システムの信頼性向上につながる」（Intel社ワイヤレス・コミュニケーションズ＆コンピューティング・グループ担当副社長兼ジェネラル・マネージャのRon Smith氏）

　Intel PXA261とIntel PXA262は，XScaleベースのマイクロプロセサとStrataFlashメモリーを一つのLSIパッケージに統合した製品。同社の「Intel Personal Internet Client Architecture（Intel PCA）」ビルディング・ブロックを使用する無線機器に向ける。「プロセサとメモリーを個別に実装する場合と比べ，Intel PXA261は56％，Intel PXA262は65％実装面積を削減できる」（同社）

　Intel PXA261プロセサの動作周波数は200MHzで，128MビットのStrataFlashメモリーを搭載する。Intel PXA262プロセサの記憶容量は256Mビットで，動作周波数200MHzと300MHzの2製品を用意する。

　「プロセサとメモリーを統合することで，携帯電話機内の部品点数を減らすことができ，メーカーは全く新しい設計やフォームファクタを実現可能となる」（同社）

　1.8V動作／128MビットのIntel StrataFlash Wireless Memoryは，現在サンプル品を出荷している。量産品の出荷開始は2003年第2四半期と見込む。1万個ロット時のメーカー希望単価は17.75ドル。

　Intel PXA261およびIntel PXA262プロセサは，同日よりサンプル品の利用が可能となる。量産品は2003年第1四半期に出荷開始の予定。また，両プロセサを搭載する製品は，2003年の早い時期にリリースされると見込む。1万個ロット時のメーカー希望単価は，Intel PXA261が36.10ドル，200MHz版のIntel PXA262が54.60ドル，300MHz版のIntel PXA262が62.60ドル。

　Intel PXA261とIntel PXA262を使ったハードウエア／ソフトウエアの開発および試作作業を支援するため，Intel社は「DCPXA26x」プロセサ・ファミリ用開発カードを用意している。同開発カードは「Intel DBPXA250」開発システムで利用できる。