米Cypress Semiconductor，日立製作所，米Integrated Device Technology（IDT），米Micron Technology，NEC，韓国のSamsung Electronicsの6社が米国時間10月15日に，ネットワーク機器に向けたSRAMアーキテクチャ「Quad Data Rate II（QDRII）」と「Double Data Rate II（DDRII）」の仕様策定を完了したことを明らかにした。
QDRIIとDDRII SRAMのデータシートはWWWサイトで公開している。QDRIIとDDRII製品はクロック周波数333MHzで動作する。ネットワーク・スイッチやルーターといった通信アプリケーションに向ける。
QDRでは，五つのSRAMアーキテクチャを定義する。「QDR Burst 2」「QDR Burst 4」「DDR common I/O, Burst 2」「DDR common I/O, Burst 4」「DDR separate I/O, Burst 2」である。各アーキテクチャはx8，x18，x36構成が可能。
動作電源電圧は1.8V，250MHz動作時のデータ有効ウインドウ（data valid window）は1.3ns（クロック・サイクルの65％）である。パッケージは165ピンのFBGA（13mm x 15mm）。従来と比べて面積を40％小さくできるという。
QDRはクロック・レートの2倍で独立に動作する二つのポートを備える。1クロック・サイクルで四つのデータ・ワードを転送できる。Common I/O DDRは，I/Oデータ・バスを使ったデータ転送を，クロックの2倍のサイクルで行える。Separate I/O DDR では，DDRの入力バスと出力バスを分離した仕様を定義する。
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