米Motorolaの半導体部門（Semiconductor Products Sector）が，RF製品用の0.18μmのシリコン・ゲルマニウム・カーボン（SiGe:C）プロセス技術を発表した。IEEEの会議，Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM)で米国時間10月2日に明らかにしたもの。3G（第3世代）携帯電話やGigabit光通信といった製品に向ける。
「BiCMOS（バイポーラ相補性金属酸化膜シリコン）プロセス技術とSiGe:C技術の組み合わせによる，完全モジュラ方式のRFトランジスタは最高動作周波数110GHzで，低消費電力と低ノイズを実現する」（同社）という。
この技術は，HBT（heterojunction bipolar transistor）モジュールを生かしたもので，同社の0.35μm BiCMOSプロセス技術と銅配線技術を用いている。また同社の0.18μm低電力CMOSロジック・プラットフォーム技術により，最大5層の銅配線が可能になる。
「最近発表された0.18μmのSiGe技術と違い，Motorola社のSiGe:C技術では高品質コンデンサや銅インダクタなどの高性能RF受動素子が実現する。これにより1チップ・ラジオができるのはもちろん，無線最終製品で部品数を大幅に削減できるというメリットがある」（Radio Products Division副社長兼ジェネラル・マネージャのBehrooz Abdi氏）。
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