米Intelが，2億5000万ドルを投じて研究施設を開設したと米国時間5月14日に発表した。「RP1」と呼ぶ施設で，RとPはそれぞれ，Research（研究）とPathfinding（開拓）の頭文字である。

　300mmウエーハを用いた先進の半導体プロセス技術を専門に研究する施設で，この手の研究施設は「世界初」（同社）という。

　RP1はその目的を研究と“開拓”としたことが，これまでの研究施設と大きく異なるという。これにより，研究と開発が交差する段階をカバーし，将来製品における先進技術の市場投入を加速するという。

　RP1では，次世代フォトリソグラフィや，高性能トランジスタ，先進配線技術（銅および光学配線），新素材などを使った環境にやさしい製造プロセスの研究を行う。

　Intel社では，RP1を同社の研究施設の一部であるComponents Research Labの中核に位置づける。RP1はオレゴン州にある300mmウエーハの開発ファブ「D1C」と量産ファブ「Fab 20」に隣接する。6000平方フィートのクリーンルームを備える。RP1の研究グループは，同社の既存製造プロセス技術の2～3世代先に進んだ半導体技術の開発にあたるという。

　なおIntel社の研究開発部門であるIntel Labsは世界中に研究施設を持っており，現在合計6000人の研究者および科学者を抱えている。

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